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31. 低溅射功率下，与键角畸变有关的结构无序是导致光学带隙变窄的主要因素。
32. 枪是一种先进的真空溅射镀膜器件，可用于进行多种真空镀膜工艺。
33. 辉光光谱定量转化所得深度结果与表面形貌仪刚定相应溅射坑的深度结果对比发现，本方法定量转化深度结果准确可靠。
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34. 用射频反应溅射法制备出BCN薄膜。
35. 脉冲溅射是一种新型的、用于消除直流反应溅射中异常放电的技术。
36. 以磁控溅射沉积方法，采用循环氩离子轰击镀和未循环轰击镀工艺在金属*上制备了铝薄膜。
37. 磁控溅射离子镀铝膜不是简单的单质外接铝膜，而是铜和铝组成的合金膜。
38. 对于反应溅射，可通过连续改变反应气体流量制得化学成分比连续变化的梯度薄膜。
39. 在不同的衬底温度下用射频溅射方法制备了氮化碳薄膜。
40. 离化团束的溅射产额比之单体离子束高100倍以上。
41. 磁控溅射离子镀铝膜不是简单的单质外接铝膜，而是铝和铁组成的合金膜。
42. 一是因畸变层与非畸变层的扩散系数不同，结果由扩散导致交界区出现原子富集；二是离子轰击的溅射作用和溅射衰减效应使得出现内层的浓度峰。
43. 本文利用正交实验方法，对非平衡磁控溅射技术制备无氢DLC膜增透膜进行了研究，得到了影响薄膜光学性能的主要因素和最佳的制备工艺。
44. 利用磁控射频溅射技术制备了ITO薄膜。
45. 采用磁控溅射法制备锰铜薄膜,溅射和真空蒸发法制备镱薄膜.
46. 在离子束溅射镀膜机的膜厚控制系统的研究中，由于采用了现代检测手段，使测量精度大大提高。
47. 通过磁控反应溅射，在玻璃基底上制备了不同溅射温度下的氧化钛薄膜。
48. 反应溅射中氧分压对薄膜的影响也很大，较高的氧气分压有助于较好结晶的二氧化钛薄膜的生成。
49. 用直流反应磁控溅射法制备了氧化镍电致变色薄膜,采用XRD和TEM对所制的薄膜结构进行了研究.
50. 并且随着阴极温度升高,阴极溅射率也随之增加.
51. 用射频溅射的方法制备得的钆钴膜具有垂直于膜面的单轴各向异性。
52. 本文用光谱分析的方法研究低温反应射频溅射生长的A1N薄膜。
53. 在理论上考虑了原子级联碰撞过程中的能量和动量传输的不对称性，给出了一个与实验结果相符的同位素溅射角分布表达式。
54. 采用磁控共溅射法制备了含不同尺寸纳米硅晶粒的氧化硅复合薄膜。
55. 无闪烁、溅射、眩光，彻底消除眼睛疲劳，且不含液态汞。是绿色环保的首选光源。
56. 本论文对真空蒸发法和直流溅射法沉积锌膜的工艺进行了研究，结合XRD、SEM、AFM等分析手段，以探索这两种方法在制备锌膜方面的一般规律。
57. 用磁控反应溅射法在不同氧分压下制备了氮氧化铪薄膜。
58. 采用射频溅射制备BST薄膜，研究了薄膜的介电击穿特性。
59. 在离子束溅射和离子辅助沉积光学薄膜技术中，离子源是其中最关键的单元技术之一。
60. 与常用的电镀法和室温溅射法相比，大幅度的降低了电极的载铂量，减小了电池的制作成本。